三星展望HBM4内存：工艺学习Intel 22nm
2023-10-22 20:00:32互联网资讯
除了宣布下一代HBM3E高带宽内存可以做到单颗芯片36GB、等效频率9.8GHz的世界领先，三星还展望了真正全新一代HBM4内存的方向。
在三星的规划中，HBM4将有两个发展方向，使用更先进的晶体管工艺和更高级的封装技术。
工艺方面，三星计划在HBM上放弃传统的平面晶体管，改用FinFET立体晶体管，从而降低所需的驱动电流，改善能效。
FinFET立体晶体管技术是Intel 22nm率先引用的，这些年一直是半导体制造工艺的根基，接下来在Intel 20A、台积电2nm、三星3nm上，都将转向全环绕立体栅极晶体管。
封装方面，三星计划从微凸点键合转向无凸点键合(bumpless bongding)，将铜层与铜层直接互连。
事实上，这在逻辑芯片领域也是相当先进的技术，仍在研发之中。
显然，这些都有助于HBM内存继续扩大容量、提升频率和带宽，但成本也将居高不下，注定它不会和普通用户产生多大关联，依然是HPC、AI领域的专属。
特别声明： 本文来源于快科技，CRM论坛系统本着传播知识、有益学习和研究的目的进行的转载，为网友免费提供，并以尽力标明作者与出处，该内容不代表本站观点。如有著作权人或出版方提出异议，本站将立即删除。如果您对文章转载有任何疑问请告之我们，以便我们及时纠正。版权声明：本文由CRM小助手整理收集与网络，仅供学习交流使用，不代表CRM论坛观点。如有侵权,请联系我们,我们将及时删除处理。
CRM论坛投稿：投稿地址
CRM论坛（CRMBBS.COM）始办于2019年，是致力于CRM实施方案、免费CRM软件、SCRM系统、客户管理系统的垂直内容社区网站，CRM论坛持续专注于CRM领域，在不断深化理解CRM系统的同时，进一步利用新型互联网技术，为用户实现企业、客户、合作伙伴与产品之间的无缝连接与交互。
